Russian Arabic English French German Hungarian Japanese Romanian Turkish Ukrainian

Постоянное запоминающее устройство с УФ стиранием.

  Постоянным ЗУ с ультрафиолетовым стиранием (EPROM, Erasable PROM – стираемое PROM) называют ПЗУ, которое не только программируется пользователем, но и стирается ультрафиолетовым излучением. Элементами ПЗУ здесь служат исключительно МОП транзисторы с добавочным «плавающим» затвором.
  Как и у некоторых ППЗУ, он заряжается при программировании и смещает пороговое напряжение МОП транзистора. Однако в EPROM имеется дополнительная возможность удалять данный заряд путем облучения ультрафиолетом в течение 20 мин. С этой целью в корпус интегральной схемы встраивается кварцевое окошко.
  Большая стоимость корпуса удорожает микросхемы EPROM по сравнению с PROM, построенными по аналогичной технологии, но без окошка в корпусе. По этому при разработке аппаратуры удобнее применять EPROM, тогда как PROM предпочтительны для серийных изделий.
  EPROM программируется по словам или побайтно при обычной 88 - разрядной организации. Для старых образцов EPROM (например, 2716, 2 К Ч 8 бит) процесс был еще проще. Использовалось программирующее напряжение Vpp = 25 В, а также требуемый адрес и маска битов, а затем для ее запоминания на время 50 мс вызывалась необходимая команда. После этого процесс завершался либо переходил к следующему адресу и маске битов. Таким образом, программирование чипа EPROM емкостью 2 Кб занимало около 2 мин, но для памяти емкостью 128 Кб требовалось уже почти 2 ч. Поскольку без программирования не обойтись, для больших EPROM пришлось модифицировать его технологию и алгоритм. В основе всех алгоритмов лежит представление о возможности программирования большинства байтов EPROM за время, существенно меньшее 50 мс. Но поскольку всегда присутствуют также «медленные» байты, сократить общее время не получается. Поэтому предпочитают программировать импульсами переменной длительности.
   В настоящее время широкое распространение получили быстрые, или интеллектуальные алгоритмы программирования . Вначале устанавливается напряжение Vpp = 12,5 В и повышенное напряжение питания VCC = 6 В, которое, с одной стороны, ускоряет процесс, так как транзисторы становятся более низкоомными, а с другой – создает наихудшие условия для верификации. Затем вызываются адрес A = 0 и соответствующие данные. Теперь начинается процедура программирования данного байта.

 Быстрый алгоритм программирования EEPROM

Для этого вспомогательный счетчик сбрасывается на n = 0. Далее  выдается команда на программирование длительностью 1 мс. После срабатывания вспомогательного счетчика содержимое памяти считывается для проверки правильности выполненного процесса. Если результат проверки отрицательный, выдается новая команда на программирование. Процесс может повторяться до 24 раз, после чего элемент памяти объявляется дефектным.
   Обычно требуется лишь несколько программирующих импульсов. Но еще нее ясно, достаточен ли заряд «плавающего» затвора, чтобы его хватило на 10 лет. Для гарантии загружается троекратный заряд путем перепрограммирования длительностью 3n х 1 мс.
   На этом завершается программирование первого байта, и процесс повторяется по очередному адресу с новыми данными. По окончании программирования включается режим считывания и еще раз проверяется правильность содержимого памяти. Благодаря быстрому алгоритму программирование EPROM емкостью 1 Мбит занимает не 2 ч, а лишь около 10 мин. Сокращая длительность программирующего импульса до 100 мкс, некоторые типы EPROM удается программировать менее чем за 1 мин.
Примеры распространенных микросхем EPROM приведены в таблице.

   Примеры EPROM. Большинство типов выпускаются также в дешевых пластиковых корпусах без окошек в качестве однократно программируемых ПЗУ.

 

Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика