Russian Arabic English French German Hungarian Japanese Romanian Turkish Ukrainian

Структура мощных биполярных транзисторов.

   Мощные биполярные транзисторы разных производителей имеют разную структуру. Основные технологии их производства — это эпитаксиальная и планарная (рис. 1). Эпитаксиальные транзисторы более устойчивы к воздействию окружающей среды и имеют более широкий диапазон безопасных сочетаний напряжения и токов.
 
Структура мощных биполярных транзисторов.

а.)

Структура мощных биполярных транзисторов.

б.)


Рис. 1. Параметры мощных биполярных транзисторов зависят от их структуры:
 а — структура эпитаксиального транзистора;
 б — структура планарного транзистора.
   Преимущества эпитаксиального транзистора обусловлены расположением эпитаксиальных слоев. Такая структура обеспечивает низкое насыщение, хороший b-эффект, маленькие размеры кристалла и низкую стоимость. Структура планарного мощного транзистора позволяет ему работать на более высоких частотах, получить гораздо меньший размер кристалла. Однако планарные транзисторы менее надежны.
   Транзисторы, изготовленные по планарной технологии, обладают более высокой частотной характеристикой и имеют более высокую скорость переключения, у них, к тому же, более высокий коэффициент усиления по току.
   Поэтому, в зависимости от назначения силовой схемы, определяются определенные параметры мощного транзистора, и по ним выбирается тот или иной тип транзистора.
   При монтаже схемы нельзя ни в коем случае заменять выбранный тип мощного транзистора на другой, так это приведет к неработоспособности схемы.
   Следует упомянуть о старой технологии изготовления мощных биполярных транзисторов — однократной диффузии (рис. 2). Структура транзистора формировалась одновременной диффузией легирующих материалов с двух сторон тонкой подложки n-типа. Транзисторы такой структуры обладали более широким диапазоном безопасного сочетания напряжения и тока и были очень надежными. Однако эта технология уже не используется. Хотя современные технологии, по мнению автора, не обеспечивают такого высокого уровня параметров силовых транзисторов.
   Кроме биполярных мощных транзисторов, изготавливаются мощные полевые МОП-транзисторы. Они способны выполнять задачи, которые не под силу планарным транзисторам.

Структура мощных биполярных транзисторов.
Рис. 2. Структура мощного транзистора, изготовленного по методу однократной диффузии. Транзисторы с такой структурой имеют более широкий диапазон безопасного сочетания напряжения и тока и очень надежны.

Рейтинг@Mail.ru Яндекс.Метрика